Monolityczne tranzystory JFET są ciągle niezastąpione i mają się dobrze

rys_2_got

Wysoka integracja w obecnie wytwarzanych analogowych układach scalonych ciągle się powiększa, ale zdarzają się sytuacje, w których konstruktor obwodów musi zaprojektować lepszy stopień różnicowy do wzmacniacza, w szczególności wzmacniacza audio lub przedwzmacniacza, rezystora sterowanego napięciem, termicznie stabilnego wtórnika, obwodu próbkowania i podtrzymania (sample and hold), dopasowania źródeł prądu albo, gdy źródło ma bardzo wysoką impedancję, jak w projektach elektrometrycznych, gdzie bardzo mały prąd polaryzacji i niski poziom zakłóceń są krytyczne.
Projektanci obwodów muszą uważnie przyglądać się korzyściom płynącym z używania dyskretnych aktywnych urządzeń, takich jak te.
Jim Williams i Bob Pease byli mistrzami wykorzystania dyskretnych aktywnych tranzystorów o wysokich parametrach, do zwiększenia efektywności ich projektów, gdy są umieszczane w krytycznych obszarach ich konstrukcji systemowych.
Firma Linear Integrated Systems właśnie wprowadziła na rynek swój nowy produkt LSJ689, podwójny tranzystor JFET, z kanałem P, który jest uzupełnieniem LSK489, podwójnego tranzystora JFET z kanałem N.
Ten nowy, podwójny tranzystor JFET, z kanałem P ma doskonałą specyfikację napięcia szumów przy 1.8nV/√Hz dla 1 kHz przy niskiej pojemności wejściowej (typowo 8pF).

rys_1_got
Dodatkowo w tych elementach występuje niemal zerowy szum strukturalny (ang. popcorn noise).
Chociaż ten rodzaj szumu został praktycznie wyeliminowany z układów scalonych (należy zauważyć termin „praktycznie”), są sytuacje, w których jakikolwiek poziom szumu, niezależnie od tego, jak rzadko może wystąpić, może zakłócać projekty wrażliwych obwodów.
Małe napięcie niezrównoważenia od bardzo ścisłego dopasowania charakterystyki tranzystora wynosi maksymalnie 20mV.
Projektanci obwodów odkryją, że dzięki tym elementom można uzyskać dokładniejszy prąd Idss (prąd nasycenia złącza źródło-dren), którego odchyłka nie przekracza 10%, jak również lepsze śledzenie termiczne (z powodu obecności na matrycy monolitycznej), niż przy użyciu pojedynczych tranzystorów JFET.
Aplikacje
Bob Cordell napisał znakomitą notatkę aplikacyjną na temat wysokowydajnych komplementarnych etapów wprowadzania danych.
Przykładem jednego z jego zastosowań jest w pełni komplementarny stopień wejściowy doprowadzający sygnał do drugiego stopnia push-pull (rysunek 1).
Na rysunku 2 i w podobnych konfiguracjach zwykle stosuje się ujemne sprzężenie zwrotne. Każdy stopień różnicowy o sprzężeniu emiterowym na dużej rezystancji obciążenia (long tailed pair, LTP) ma źródło prądowe 2mA (I1 i I2), podłączone do powiązanej szyny zasilającej, dostarczając napięcie zasilające.
Obudowa
Podwójny tranzystor JFET jest produkowany w obudowach SOT-23 6L, SOIC-A 8L i TO-71 6L zgodnych z RoHS. Obudowy tranzystora LSJ689 typu SOT-23 6L i SOIC-A 8L idealnie nadają się do obwodów o ograniczonej przestrzeni w aplikacjach audio i przyrządów pomiarowych.

Autor: Steve Taranovich

Komentarze z Facebooka

Komentarze obecnie - OFF.