Ograniczanie prądu rozruchowego za pomocą tranzystora MOSFET

r_99_07_1_got
W różnych obwodach zasilanych prądem stałym (np. przetworniki DC/DC) prąd rozruchowy jest względnie wysoki i może przeciążać zasilacze wejściowe, tak, że w ogóle się nie pojawią.

Ten efekt można bezpiecznie wyeliminować dzięki temu ograniczeniu prądu rozruchowego.
Po przyłożeniu napięcia wejściowego Vin tranzystor MOSFET T1 najpierw blokuje się, ponieważ kondensator C1 jest w stanie rozładowania.
Prąd rozruchowy w momencie włączenia można wyznaczyć następująco:
I (t=0) = Vin/R2
Kondensator C1 teraz powoli ładuje się przez rezystor R1, tak że w pewnym momencie przekroczone jest napięcie progowe bramka-źródło U GS (th), w którym to momencie tranzystor MOSFET zaczyna przewodzić.
Czas do przewodzenia tranzystora FET jest określany przez stałą czasową RC, R1 i C1 oraz przez wielkość napięcia wejściowego Vin w stosunku do progowego napięcia bramki UGS (th).
Napięcie bramka-źródło UGS tranzystora BUZ20 może mieścić się w zakresie +/- 20.
Jeśli napięcia Vin jest powyżej tej wartości lub jeśli używany jest inny tranzystor MOSFET, wówczas napięcie UGS musi być ograniczone przez diodę Zenera D2.
Do konstrukcji prototypu zastosowano diodę ZPD18.
Wreszcie dioda D1 służy do rozładowania kondensatora C1, gdy napięcie wejściowe Vin jest wyłączone.
Ładunek kondensator C1 wpływa do obciążenia.
Ograniczenie prądu rozruchowego może zostać natychmiast zastosowane.
Autor: Gregor Kleine

Komentarze z Facebooka

Komentarze obecnie - OFF.